紅外輻射與物質(材料)相互作用產生各種效應。100多年來，從經典物理到20世紀開創的近代物理，特別是量子力學、半導體物理等學科的創立，到現代的介觀物理、低維結構物理等等，有許多而且越來越多可用于紅外探測的物理現象和效應。德圖儀器小編下面為大家詳細介紹下紅外探測器的基礎——物理學的進展。

熱探測器：
熱輻射引起材料溫度變化產生可度量的輸出。有多種熱效應可用于紅外探測器。

(1)熱脹冷縮效應的液態的水銀溫度計、氣態的高萊池(Golay cell)；

(2)溫差電(Seebeck)效應。可做成熱電偶和熱電堆，主要用于測量儀器。

(3)共振頻率對溫度的敏感可制作石英共振器非致冷紅外成像陣列。

(4)材料的電阻或介電常數的熱敏效應--輻射引起溫升改變材料電阻用以探測熱輻射- 測輻射熱計(Bolometer)：半導體有高的溫度系數而應用最多，常稱 " 熱敏電阻"。利用轉變溫度附近電阻巨變的超導探測器引起重視。如果室溫度超導成為現實，將是21世紀最引人注目的探測器。

(5)熱釋電效應：快速溫度變化使晶體自發極化強度改變，表面電荷發生變化，可作成熱釋電探測器。 熱探測器一般不需致冷( 超導除外 )而易于使用、維護，可靠性好；光譜響應與波長無關，為無選擇性探測器；制備工藝相對簡易，成本較低。但靈敏度低，響應速度慢。熱探測器性能限制的主要因素是熱絕緣的設計問題。

光電探測器：
紅外輻射光子在半導體材料中激發非平衡載流子(電子或空穴)，引起電學性能變化。因為載流子不逸出體外，所以稱內光電效應。量子光電效應靈敏度高，響應速度比熱探測器快得多，是選擇性探測器。為了達到最佳性能，一般都需要在低溫下工作。光電探測器可分為：

(1)光導型：又稱光敏電阻。入射光子激發均勻半導體中的價帶電子越過禁帶進入導帶并在價帶留下空穴，引起電導增加，為本征光電導。從禁帶中的雜質能級也可激發光生載流子進入導帶或價帶，為雜質光電導。截止波長由雜質電離能決定。量子效率低于本征光導，而且要求更低的工作溫度。

(2)光伏型：主要是p－n結的光生伏特效應。能量大于禁帶寬度的紅外光子在結區及其附近激發電子空穴對。存在的結電場使空穴進入p區，電子進入 n 區，兩部分出現電位差。外電路就有電壓或電流信號。與光導探測器比較，光伏探測器背影限探測率大于40％；不需要外加偏置電場和負載電阻，不消耗功率，有高的阻抗。這些特性給制備和使用焦平面陣列帶來很大好處。

(3)光發射－Schottky勢壘探測器：金屬和半導體接觸，典型的有PtSi/Si結構，形成Schott ky勢壘，紅外光子透過Si層為PtSi吸收，電子獲得能量躍上 Fermi能級，留下空穴越過勢壘進入Si襯底，PtSi層的電子被收集，完成紅外探測。充分利用Si集成技術，便于制作，具有成本低、均勻性好等優勢，可做成大規模(1024×1024甚至更大)焦平面陣列來彌補量子效率低的缺陷。有嚴格的低溫要求。用這類探測器，國內外已生產出具有像質良好的熱像儀。Pt Si/Si結構FPA是最早制成的IRFPA。

(4)量子阱探測器(QWIP)：將兩種半導體材料A和B用人工方法薄層交替生長形成超晶格，在其界面，能帶有突變。電子和空穴被限制在低勢能阱A層內，能量量子化，稱為量子阱。利用量子阱中能級電子躍遷原理可以做紅外探測器。90年代以來發展很快，已有512×512、64 0×480規模的QWIP GaAs/AlGaAs焦平面制成相應的熱像儀誕生。因為入射輻射中只有垂直于超晶格生長面的電極化矢量起作用，光子利用率低；量子阱中基態電子濃度受摻雜限制，量子效率不高；響應光譜區窄；低溫要求苛刻。人們正深入研究努力加以改進，可望與碲鎘汞探測器一爭高低。

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